阿布都拉國王科技大學(KAUST)研究團隊，近期研發出奈米級氮化鋁鎵(AlGaN)發光裝置。研究人員以漸變折射率分佈限制結構層(GRINSCH)裝置，製作出奈米級GRINSCH二極體，研究人員期望未來能應用在奈米高效能UV LED裝置，像是雷射、光感測器、調幅器以及積體光學相關裝置上。

(來源：KAUST官網)

現有AlGaN發光裝置，被視為是取代現有UV氣體雷射和含有有毒物質的UV燈的UV燈源。不過由於裝置中的UV雷射二極體，電壓至少要25伏特才能操作，加上電洞注入層效率不佳，導致串聯電阻高，導致性能受限。其中原因和AlGaN鋁層的P型半導體塗層以及缺少有效的散熱管道等有關。

奈米級AlGaN和原先AlGaN磊晶薄膜層相比，由於表面積對體積比高，形成有效的應力鬆弛，能直接在包括金屬等基質上延展。金屬和以矽或藍寶石包覆的金屬基質，能在高電流操作過程，提供更好的散熱管道。另外，奈米級P型半導體因為加入了鎂，活化能需求低，因此電阻也相對較小。經過研究團隊實驗證實，GRINSCH二極體在電子和光學表現上出色，所需電壓和串聯電阻也比原先的二極體要低。